13 สิงหาคม 2024 โตชิบา เอเชีย แปซิฟิค เผยข้อมูลการพัฒนา อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำกำลัง (power semiconductor) รุ่นใหม่ ใช้ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) และแกลเลียมไนไตรด์ (GaN) สามารถจัดการแรงดันไฟฟ้าได้สูงขึ้น ความต้านทานต่ำลง ส่งผลให้เอาต์พุตที่สูงขึ้น อุปกรณ์มีขนาดเล็กลง เคลมทำให้ความจุแบตเตอรี่ในขนาดที่เล็กลงและเพิ่มระยะทางการขับขี่ได้
สำหรับชิ้นส่วน อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำกำลัง (Power Semiconductor) สำคัญอย่างยิ่งในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ที่ต้องการกำลังไฟฟ้าสูง เช่น รถยนต์ไฟฟ้า อุปกรณ์ชาร์จไฟ เครื่องปรับอากาศ และอุปกรณ์อุตสาหกรรมต่าง ๆ เป็นองค์ประกอบสำคัญทำหน้าที่เหมือนสวิตช์ และเป็นตัวเรียงกระแสในวงจรไฟฟ้า สามารถควบคุมและแปลงกำลังไฟได้
อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำกำลัง (Power Semiconductor) ของเป็นส่วนสำคัญในการจัดการกระแสไฟฟ้าในยานยนต์ไฟฟ้า (xEVs) ควบคุมการจ่ายไฟฟ้าและแรงดันไฟฟ้า และสลับกระแสไฟฟ้า
โตชิบา กำลังพัฒนา มอสเฟต ที่ทำจากซิลิคอน (Si)-MOSFETs เนื่องจากอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำกำลังที่ล้ำสมัย ออกแบบมาเพื่อตอบโจทย์การใช้งานยานยนต์สุดหิน ทนต่อสภาพการใช้งานที่รุนแรง และลดอัตราการเกิดจุดบกพร่องตัวอุปกรณ์ให้ได้จนเกือบเป็นศูนย์
โตชิบายังกำลังพัฒนาอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำกำลังรุ่นใหม่ ใช้ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) และแกลเลียมไนไตรด์ (GaN) เพื่อเพิ่มประสิทธิภาพและสมรรถนะ วัสดุทั้งสองช่วยให้สามารถจัดการแรงดันไฟฟ้าได้สูงขึ้นโดยมีความต้านทานต่ำลง ส่งผลให้ได้เอาต์พุตที่สูงขึ้นและอุปกรณ์มีขนาดเล็กลงหรือที่เรียกว่า อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำซิลิคอนคาร์ไบด์
อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำซิลิคอนคาร์ไบด์ ยังช่วยลดการใช้พลังงาน ลดขนาดอุปกรณ์ในยานพาหนะไฟฟ้า ทำให้สามารถใช้แบตเตอรี่ขนาดใหญ่ขึ้นและเพิ่มระยะทางการขับขี่ได้
งานวิจัยของโตชิบามุ่งเน้นการเพิ่มสมรรถนะของอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำกำลังสำหรับการใช้งานต่าง ๆ รวมถึงยานยนต์ไฟฟ้า ระบบราง และการผลิตไฟฟ้าจากพลังงานลมนอกชายฝั่ง
นอกจากนี้ในงาน อุตสาหกรรม ใช้เป็นส่วนประกอบสำคัญในระบบขับเคลื่อนมอเตอร์ หุ่นยนต์ และระบบอัตโนมัติต่าง ๆ ในโรงงาน
ในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์สำหรับผู้บริโภคทั่วไป ช่วยเพิ่มประสิทธิภาพการใช้พลังงานได้อย่างมีนัยสำคัญในอุปกรณ์ภายในบ้านและผลิตภัณฑ์อิเล็กทรอนิกส์ต่าง ๆ มากมาย
ตลาดรถมือสอง มีรถมากมายให้เลือกในราคาที่ถูกใจ